全部资讯

为守住半导体领域的领先优势，中国台湾当局正酝酿一项严苛的新出口规则，核心直指台积电的海外技术输出——拟推行“N-2”规则，仅允许这家全球最大晶圆代工厂出口落后其领先生产节点两代的技术。若政策落地，台积电积极推进的美国先进晶圆厂扩张计划或将显著放缓。此前中国台湾当局执行的是“N-1”规则，允许出口落后领先工艺至少一代的技术，而“N-2”规则在限制上大幅收紧。按技术世代划分标准，这意味着台积电海外出口

川土微电子全新推出CA-IS3214系列单通道增强隔离栅极驱动器，基于先进SiO₂电容隔离技术打造，专为驱动SiCMOSFET、IGBT等先进功率器件优化，以强性能、高可靠特性，适配电机驱动、新能源及工业电源等多场景需求。该系列核心性能拉满：具备10A/10A峰值拉/灌驱动电流，可稳定驱动高达2121VPK的功率器件；隔离性能尤为出众，支持1.5kVRMS隔离工作电压、12.8kVPK浪涌抗扰度，

12月23日，日本半导体巨头罗姆（ROHM）当地时间12月22日官宣，与印度塔塔电子达成全球战略合作伙伴关系，聚焦印度半导体制造领域，整合双方技术与渠道优势，共同开拓印度及全球市场。此次合作以“技术互补”为核心：罗姆输出顶尖功率半导体器件技术，塔塔电子贡献成熟的后端封测能力，携手在印度搭建功率半导体制造框架。同时双方将整合销售渠道与网络，为客户提供高价值解决方案，在印度市场挖掘新商业机遇。合作首阶

地缘政治推动全球半导体产能向区域多元化演进，美日等国争相加码半导体产业布局，市调机构集邦科技最新预测显示，2030年美国半导体先进制程产能占全球比重将升至28%，中国大陆则有望以52%的占比登顶全球成熟制程产能第一。半导体作为核心战略产业，全球主要经济体纷纷发力。美国推动在地制造，台积电亚利桑那州厂持续扩产，三星、英特尔加码资本支出，IDC预估2025-2029年美国晶圆代工产能年复合成长率达8.

12月18日，兆易创新（股票代码：603986）正式推出GD32家族史上性能最强的GD32H78D/77D系列MCU，以“极致算力+超大存储+全能多媒体”的三重突破，重新定义国产高端通用微控制器的性能上限，为高端嵌入式系统提供全方位硬件支撑。作为GD32家族的巅峰之作，该系列基于高性能Arm®Cortex®-M7内核打造，GD32H78D系列主频高达750MHz，是目前所有GD32产品中主频最高的

12月15日，全球芯片与航天领域传来双重重磅消息：欧洲半导体巨头意法半导体（STMicroelectronics）已向SpaceX交付超50亿枚射频天线芯片，专供星链（Starlink）卫星网络用户终端，且未来两年交付量有望翻倍；与此同时，SpaceX计划于2026年中后期启动IPO，目标估值1.5万亿美元，有望创下全球最大规模IPO纪录。自2015年建立合作以来，意法半导体一直是星链卫星网络的核

全球移动芯片行业迎来里程碑突破，三星正式推出全球首款量产2nm移动SoC芯片Exynos2600，基于先进的GAA（环绕栅极）工艺打造，将首发搭载于明年推出的GalaxyS26系列旗舰设备，率先拉开2nm手机时代序幕。这款10核ARM架构芯片性能全面跃升，CPU性能较前代提升39%，NPU算力暴涨113%，可高效处理大规模设备端AI任务；GPU采用最新Xclipse设计，图形性能翻倍，光线追踪能力

12月22日，闻泰科技旗下功率半导体龙头安世半导体（Nexperia）中国公司已敲定本土晶圆供应方案，将全面覆盖2026年IGBT产品的全部生产需求，成功破解荷兰母公司断供带来的产能危机。而此前因控制权纠纷，荷兰安世至今未恢复对中国工厂的晶圆供应。今年9月底，荷兰政府以公司治理问题为由接管安世半导体控制权，10月初中国对安世中国产品实施出口管制，引发全球车企芯片短缺；下旬荷兰安世暂停对中国工厂的晶

英飞凌正式推出全新OptiMOS™7系列功率MOSFET，以“应用导向”创新思维重构产品设计逻辑，针对不同场景需求量身定制解决方案，不仅树立功率MOSFET技术新标杆，更将推动各行业功率转换系统迈入能效与性能双升级的新阶段。面向云端算力核心需求，OptiMOS™7开关优化型功率MOSFET专为未来数据中心、服务器及电信设备打造，为高负载电源管理注入“冷静基因”。该款产品针对硬开关与软开关拓扑进行专

高端手机影像市场再添重磅选手，豪威集团正式推出新一代旗舰级手机图像传感器OVB0D，核心规格直接对标行业标杆索尼LYTIA901，将为2026年旗舰手机的影像体验升级注入强劲动力。作为豪威的新一代王牌产品，OVB0D在核心参数上展现出硬核实力：采用2亿像素高分辨率设计，传感器尺寸达1/1.11英寸，这一尺寸略大于索尼LYTIA901的1/1.12英寸，更大的传感器面积意味着能捕捉更多光线，为画质提

半导体短缺阴霾持续笼罩车企，本田汽车宣布年末年初将对日本及中国区域部分工厂实施停产或减产调整。其中，本田与广汽集团合资的广汽本田，旗下3座工厂将在2025年12月29日至2026年1月2日期间集中停工5天；本田中国同步回应，东风本田工厂暂不受此次调整影响，广汽本田的生产调整不会影响对顾客的交付。日本本土方面，本田两座核心工厂将在2026年1月初启动阶段性生产调整：埼玉制作所（埼玉县寄居町）与铃鹿制

英特尔宣布已成功安装ASMLTwinscanEXE:5200B光刻机，这是业界首台用于商用芯片生产的High-NAEUV光刻机（采用0.55数值孔径投影光学系统）。该设备已通过验收测试，将专门用于Intel14A（1.4nm）工艺开发，而14A工艺也将成为全球首个在关键层采用High-NAEUV光刻技术的节点，标志着该技术正式从实验阶段迈向量产阶段。这款2023年英特尔购置的设备性能惊艳：分辨率达

12月16日，2024年上任的ASML首席执行官ChristopheFouquet在接受采访时明确表示，ASML销售给中国客户的光刻机设备，较最新的高NA设备整整落后八代。这一表态再次凸显中国在高端光刻机获取上的困境。值得关注的是，中国曾是ASML最大的市场，但目前不仅先进的EUV光刻机出口中国受阻，就连相对落后的DUV光刻机，其对华出口也遭到百般阻挠。据荷兰国家广播公司（NOS）报道，尽管ASM

作为高性能模拟与数模混合产品领域的核心供应商，思瑞浦3PEAK（股票代码：688536）全新推出四通道高精度集成数模转换器（DAC）TPC2884。该产品凭借卓越的性能表现，可广泛适配PLC/DCS、过程控制、工业自动化等核心场景，为精准控制需求提供可靠解决方案。TPC2884的核心优势十分突出，首先是超电源轨耐压与高精度输出：通过外接二极管实现超电源轨耐压能力，在AVDD=15V、AVSS=-1

美光公布2026财年第一季度（2025年9-11月）业绩，整体表现堪称惊艳。该季营收达136.4亿美元，环比增长21%、同比大增55%；Non-GAAP口径下，营业利润64.2亿美元，营业利润率从35%飙升至47%；净利润54.8亿美元，环比增长58%、同比暴涨169%。旗下所有业务部门均实现营收纪录与利润率双突破。核心业务涨价成为关键驱动力。DRAM业务营收108亿美元，环比、同比分别增长20%

12月17日，半导体巨头德州仪器（TI）宣布重大进展：其位于谢尔曼的半导体工厂已正式投产，从破土动工到落地投产仅耗时三年半，建设效率凸显行业领先水平。这座新工厂名为SM1，将依据客户需求逐步推进扩建，最终将实现日均生产数千万颗芯片的庞大产能。这些芯片应用场景极为广泛，几乎覆盖所有电子设备领域——小到智能手机、智能家居电器，大到汽车系统、救命医疗设备，再到工业机器人、数据中心等核心场景，均能见到其身

12月16日上午，AMD董事会主席兼首席执行官苏姿丰（LisaSu）率高管团队造访联想集团北京全球总部，在联想执行副总裁刘军等多位高管陪同下，深度参观了包括人形机器人在内的多项前沿产品与技术成果，双方就深化AI领域协同展开核心磋商。值得关注的是，此次访华前苏姿丰刚于12月11日在美国会见中国驻美大使谢锋，十天内连续开展高层互动，凸显中国市场在AMD全球战略中的核心地位。2025年苏姿丰已两度访华，

12月16日，三星电子与三星先进技术研究院在IEEE国际电子器件会议上重磅宣布，成功研发出10nm以下DRAM内存制造技术，为AI、数据中心等高算力场景的存储需求突破提供了核心支撑，再度刷新行业技术天花板。此次突破的核心在于创新的单元-外围电路（CoP）架构。不同于传统技术将外围晶体管置于存储单元下方的设计，三星采用存储单元堆叠在了你外围电路之上的全新方案，从根源上解决了传统架构中晶体管在高温堆叠

12月17日，继摩尔线程之后，又一家国产GPU巨头沐曦股份（股票代码688802）正式登陆科创板，首日开盘即上演暴涨奇迹：高开568.83%报700元/股，按开盘价计算，中一签可斩获近30万元收益。截至发稿，公司市值已飙升至2800亿元，资本市场对国产GPU的热情可见一斑。沐曦股份发行价104.66元/股，对应市值约418.74亿元，发行4010万股（占发行后总股本10.02%）；扣除发行费用后预

12月17日，国际半导体产业协会（SEMI）于当地时间12月16日在SEMICONJapan2025上发布重磅预测：今年全球半导体制造设备市场规模将攀升至1330亿美元，在2024年历史纪录基础上再增13.7%；增长势头将持续延续，2026年、2027年市场规模预计分别达到1450亿美元、1560亿美元，2027年将首次突破1500亿美元大关。这一轮持续增长的核心驱动力，源于AI相关投资的超预期爆

12月15日，龙芯中科在投资者关系活动记录表中披露重磅进展：公司首款自主研发的GPGPU芯片9A1000已顺利交付流片，标志着龙芯正式补齐“CPU+GPU”自主配套生态的核心短板，开启国产异构计算新篇章。龙芯中科确立独特GPGPU技术路线：将图形处理与AI算力集成于同一核心，兼具双功能，战略上从端侧切入、主打AI推理，逐步升级算力产品。其入门级独立显卡9A1000，显示性能大致相当AMDRX550

12月16日消息，印度政府于当地时间12月15日正式宣布，该国首款完全自主研发的64-bit双核1.0GHz微处理器（MPU）DHRUV64成功推出，标志着印度在半导体核心技术自主化进程中迈出关键一步。这款被视作印度半导体“北极星”的处理器，由印度高级计算发展中心（C-DAC）主导研发，隶属于政府支持的微处理器发展计划（MDP），是DigitalIndiaRISC-V（DIR-V）计划下的核心成果

12月16日消息，TCL科技昨日发布公告披露重磅交易：旗下控股子公司TCL华星拟以60.45亿元现金，收购深圳市重大产业发展一期基金持有的深圳华星半导体10.7656%股权。交易完成后，TCL科技对深圳华星半导体的合计控制股权比例将跃升至94.9761%，进一步夯实对核心面板资产的掌控力。此次收购的核心标的深圳华星半导体，堪称TCL华星在大尺寸显示领域的“压舱石”。其旗下坐拥两条全球最高世代的G1

近日，日本印刷株式会社（DNP）宣布成功开发出电路线宽仅为10纳米的NIL纳米压印技术，这项里程碑式的突破可直接用于相当于1.4纳米等级的逻辑半导体电路图形化，为先进制程提供了EUV光刻之外的全新选择。智能手机、数据中心等终端性能升级，推动先进制程逻辑半导体需求扩大，也促使EUV曝光技术演进。但EUV光刻存在投资大、能耗高的短板，单台设备造价超1亿美元且耗电巨额，让中小厂商难以承受。在此背景下，操

12月11日，上海积塔半导体完成新一轮增资扩股，注册资本从约169.07亿元增至179.06亿元，增幅约5.91%。本轮投资方阵容强劲，涵盖厦门创投、中电智慧基金、中国电子、中金资本等知名机构及国资背景基金，股东结构进一步优化，为后续发展注入雄厚资本动力。作为国内碳化硅领域的领军企业，积塔半导体融资历程亮眼：2021年11月完成80亿元战略融资；2023年9月的135亿元融资更创下当年碳化硅产业单

近日，斯坦福大学、卡内基梅隆大学等四所顶尖高校的工程师团队，联合美国半导体代工厂SkyWaterTechnology，成功打造出美国首颗商业代工厂制造的单片3D集成电路原型，实测性能较传统平面芯片提升四倍，为半导体行业突破物理瓶颈开辟新路径。这款芯片彻底抛弃传统二维布局，以创新的单一连续工艺实现核心突破。研究团队并未采用“多芯片组装封装”的常规思路，而是通过低温工艺在同一晶圆上逐层构建器件层，41

数字经济时代，高速网络通信是连接物理与数字世界的核心动脉。从云端算力爆发到边缘基站演进，再到万兆家庭接入，全场景应用对底层芯片提出严苛挑战。在ICCAD-Expo2025展会上，兆易创新存储事业部市场经理莫伟鸿发表主题演讲，详解公司如何通过Flash与多产品线深度协同，为高速网通产业提供高可靠国产化解决方案。针对网通“云-管-端”全链路需求，兆易创新已构建起多元化产品矩阵。以全容量、高可靠、低功耗

12月15日，ASML首席执行官ChristopheFouquet（克里斯托夫·富凯/傅恪礼）在公司总部接受彭博社专访时重磅表态，预计HighNAEUV光刻机将在2027~2028年正式投入先进制程的大规模量产。这一消息直接为2纳米及以下制程的落地进程划定关键节点，成为全球半导体产业链关注的焦点。HighNAEUV光刻机是突破芯片性能瓶颈的核心设备，其量产节奏决定“埃米时代”芯片普及速度。相较于现

12月14日消息，据媒体LightReading报道，芯片巨头恩智浦（NXP）已正式敲定重大战略调整：将关闭位于美国亚利桑那州钱德勒的ECHOFab晶圆厂，并彻底退出氮化镓（GaN）5GPA（功率放大器）芯片制造业务，为其在该领域的布局画上句号。曾承载恩智浦5G野心的6英寸晶圆厂，2020年9月投产时为当时最先进的氮化镓5GPA芯片生产设施，恩智浦曾投入超1亿美元升级设备与研发工艺，期望借此主导5

12月15日，芯原微电子（VeriSilicon）于12月13日发布公告，宣布终止发行股份及支付现金收购芯来智融97.0070%股权并募集配套资金的交易。此次交易终止前，芯原微电子已持有芯来智融2.9930%股权，这意味着原本有望成为芯原全资子公司的芯来智融，将与芯原错失全面整合的机会。公告披露，芯原微电子已于12月11日召开董事会会议，审议通过了同意终止本次交易的议案，核心原因是在推进交易各项工